当半导体内注入了非平衡载流子后 一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心 另一方面依靠表面能级作为复合中心。()

当温度升高时，本征半导体中载流子的浓度：（)A.自由电子浓度增大，空穴浓度减小B.空穴浓度增大，自

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本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。（)

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用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上 被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子 其产生率为gp

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半导体中的少数载流子产生的原因是（)A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发

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用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上 被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子 其产生率为gp 非平衡空

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离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性 主要影响有() 1 PN 结反向漏电流增大 2 载流子迁移率下降 3 少子寿命下降 4 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能

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单晶半导体结附近的扩散距离内所发生的由光生成的少数载流子是很小的。

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