用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上 被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子 其产生率为gp 非平衡空

用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为g_p，非平衡空穴的寿命为τ_p，光脉冲宽度△t=3τ_p。