离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性主要影响有() 1 PN 结反向漏电流增大 2 载流子迁移率下降 3 少子寿命下降 4 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能

离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性,主要影响有（） 1 PN 结反向漏电流增大 2 载流子迁移率下降 3 少子寿命下降 4 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能

A、②③

B、①②④

C、②③④

D、①②③④

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()是指在确定的某种晶格中某离子或原子部分被性质相似的它种离子或原子所替代占有。

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离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性 主要影响有() 1 PN 结反向漏电流增大 2 载流子迁移率下降 3 少子寿命下降 4 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能