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IPSP 的产生主要是由于突触后膜对的通透性增加从而导致突触后膜出现 _

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IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性（)

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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（)的通透性增加所致。A.Na＋ Cl－ K＋尤其是K＋B

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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ( )A.Na+ K+ 尤

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