抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致

A.Ca[~2+.gif]、K[~+.gif]、Cl[~-.gif]，尤其是Ca[~2+.gif]B.Na[~+.gif]、Cl[~-.gif]、K[~+.gif]，尤其是K[~+.gif]C.K[~+.gif]、Ca[~2+.gif]、Na[~+.gif]，尤其是Ca[~2+.gif]D.K[~+.gif]、Cl[~-.gif]，尤其是Cl[~-.gif]E.Na[~+.gif]、K[~+.gif]，尤其是Na[~+.gif]

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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（)。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突

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抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？（)A.Na＋B.K＋C.Na＋和K＋D.Ca

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突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（)的通透性增加所致。A.Na＋ Cl－ K＋尤其是K＋B

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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ( )A.Na+ K+ 尤

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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致A.Na+ Cl- K+ 尤其是K+B.Ca2

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抑制性突触后电位的产生是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致?A.K+ Cl- 尤其是Cl-B.Ca2+ K

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