离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（)。A.能量B.剂量

离子通过细胞膜的扩散量取决于（)A.膜两侧离子的浓度梯度B.膜对该离子的通透性C.该离子所受的

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热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高

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离子注入层的深度主要取决于离子注入的（)。A.能量B.剂量

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离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（)和（)。

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离子通过细胞膜的扩散量取决于A.膜两侧该离子的浓度梯度 B.膜对该离子的通透性 C.该离子的化学性

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配位滴定曲线突跃范围的大小主要取决于（)金属离子浓度。其值越大 突越范围（)。

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离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性 主要影响有() 1 PN 结反向漏电流增大 2 载流子迁移率下降 3 少子寿命下降 4 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能

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