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功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型
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零偏压电路适用于所有的场效应管放大电路。()
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什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?
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功率MOSFET依据导电沟道可分为PMOS管和NMOS管。()
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场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示 其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
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耗尽型场效应管是指没有加偏置电压时有导电沟道存在()
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场效应晶体管是利用改变平行于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力而实现放大作用的。()