以下关于典型全控型器件描述不正确的是()

以下关于典型全控型器件描述不正确的是（）

A、GTO和普通晶闸管一样,外部也是引出阳极、阴极和门极。

B、GTR是由三层半导体形成的两个PN结构成,分别引出集电极、基极和发射极个引脚。

C、电力MOSFET也是多元集成结构,引出基极、漏极、源极。

D、IGBT是三端器件,具有栅极、集电极和发射极。