太阳电池用单晶硅片一般利用氢氧化钠腐蚀液来进行腐蚀腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度约为20~30um。()

太阳电池用单晶硅片一般利用氢氧化钠腐蚀液来进行腐蚀，腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。（)