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N沟道增强型MOSFET饱和区工作条件是删源电压VGS大于开启电压VT 漏源电压 VDS 大于删源电压VGS和开启电压VT之差()

N沟道增强型MOSFET饱和区工作条件是删源电压VGS大于开启电压VT,漏源电压 VDS 大于删源电压VGS和开启电压VT之差（）

是

否

参考答案

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