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以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中正确的是()。

以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中，正确的是（)。

A、半导体表面反型时，空间电荷区宽度达到最大值

B、空间电荷区宽度最大时，强反型区的电子或空穴会屏蔽表面电场

C、空间电荷区宽度达到最大值后，表面势的变化不会引起空间电荷区宽度的变化

D、对于n型，外加电压VG>0并逐渐增大时，空间电荷区宽度逐渐增大直至达到最大值

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