对于气膜控制的低组成气体吸收过程已知 K Y a ∝ V 0.7 若气体流量增加 20% 则气相总传质单元高度增加()

对于气膜控制的低组成气体吸收过程,已知 K Y a ∝ V 0.7 ,若气体流量增加 20% ,则气相总传质单元高度增加（）

A、4．62%

B、5．62%

C、6．52%

D、14．62%

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难溶气体吸收是受()。A.气膜控制B.液膜控制C.双膜控制D.相界面

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