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双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构。前者采用技术后者采用技术。

双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构。前者采用______技术，后者采用______技术。

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参考答案

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设存储模块共m块，每块共n个单元，采用高位交叉编址，则m＋2地址在第1块，当m＋2≤n。（)

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双端口存储器所以能高速进行读写是因为采用了（)。A.高速芯片B.两套相互独立的读写电路C.流水技

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已知单个存储体的存储周期为110ns 总线传输周期为10ns 则当采用低位交叉编址的多模块存储器时

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一个四体并行低位交叉存储器每个模块的容量是64K×32位存取周期为200 ns 在下述说法中_

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双端口存储器在（)情况下会发生读／写冲突。A．左端口与右端口的地址码不同B．左端口与右端口的地址码

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一个四体并行低位交叉存储器每个模块的容量是64K×32位存取周期为200 ns 在下述说法中________

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