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在杂质半导体中 多数载流子的浓度取决于( )A.晶体缺陷B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺


在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()

A、晶体缺陷

B、温度

C、杂质浓度

D、掺杂工艺

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