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在杂质半导体中 多数载流子的浓度取决于( )A.晶体缺陷B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()
A、晶体缺陷
B、温度
C、杂质浓度
D、掺杂工艺
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