由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结 计算在室温（300K)时

由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差V_D和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μ_p=1650cm²/(V·s)，n区电子的迁移率μ_n=3000cm²/(V·s)，锗的本征载流子浓度n_i=2.5×10¹³cm^-3。