一个1K×4位的动态RAM芯片 若其内部结构排列成64×64形式 且存取周期为0．1μs。 （1)

一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64×64形式，且存取周期为0．1μs。 (1)若采用分散刷新和集中刷新相结合的方式，刷新信号周期应该取多少？ (2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？

请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！