对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms－1，表面反应速率系数ks=1×107exp（

对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁，石墨支座型;(2)热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。