若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。（)

单结晶体管有（)。A.两个PN结，三个电极B.一个PN结，三个电极C.三个PN结，二个电极D.三个PN结，三个

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设n个元素的进栈序列是P1，P2，…，Pn，出栈序列是l，2，3，…n。若Pn=1，则Pi（1≤i<n)的值（)。A．是iB．是n—

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当pn结()向连接时 阻挡载流子扩散的pn结空间电荷层变() 允许pn结上有较大的电流通过;当pn结

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离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性 主要影响有() 1 PN 结反向漏电流增大 2 载流子迁移率下降 3 少子寿命下降 4 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能

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外加正向电压时 PN结导通 反之 PN结截止 这是PN的()导电性。

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PN结反向偏置时 外加电压形成的外电场的方向和PN结内电场方向相反 相当于削弱了内电场。()

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在PN结形成时 扩散运动是多子的运动()

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