有关预饱和技术的描述正确的是A.可用于各种脉冲序列B.最多可放六个饱和带C.饱和带越多抑制伪影效

有关预饱和技术的描述正确的是

A.可用于各种脉冲序列

B.最多可放六个饱和带

C.饱和带越多抑制伪影效果越差

D.饱和带越多扫描时间越短

E.饱和带越窄越靠近感兴趣区抑制效果越差

此题为多项选择题。请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！