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关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突
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IPSP的产生机制为抑制性递质作用于突触后膜 使突触后膜的A. K+通道开放 B. Na+通道开放
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突触前抑制产生的重要结构基础是( )A.轴突-胞体型突触B.轴突-树突型突触C.轴突-轴突型突触
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突触前抑制的产生是由于()。A.突触前膜超极化B.突触后膜超极化C.突触前膜释放抑制性递质D.突
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突触前抑制的产生是由于A.突触前轴突末梢超极化B.突触前轴突末梢去极化C.突触
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突触前抑制是由于突触前膜A.释放抑制性递质B.产生抑制性突触后电位C.产生超极化D.递质耗竭E.兴奋
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突触前抑制的产生是由于A.突触前轴突末梢去极化B.突触前轴突末梢释放抑制性递质C.突触前轴突末梢